Re: [請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎?

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留言 85則留言,58人參與討論
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討論串 2
這個問題短短的,但是認真回起來可是會變萬言書的。 光阻(photoresist,PR)是用來定義晶圓圖案的介質,光線經過光罩.透鏡將圖案轉移至光 阻上,再透過蝕刻將這層圖案轉印到底下的晶圓上,這就是簡單的半導體製作流程。 光罩上的圖案,是由光線轉印到光阻上,那要怎樣才能讓圖案越來越 小,就是半導體的 製程演進。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....這些就是製程世代中,用來表現製程能力 的代稱,在記憶體(ex:NAND),這個數字代表BL/WL pitch 的1/2。 要如何讓光阻上轉印的圖型越來越 小,詳細請餵狗。總的來說,用波長較短的光是最簡 單的。如KrF波長248nm,ArF波長193nm,這些通稱DUV。KrF對應的世代是0.15-0.25um,A rF對應0.13-0.18um EUV波長為13.5nm,對應的則是則是7nm,5nm或以下。 從130nm - 7nm中間的空缺,則由193i以及多重曝光或多次圖型化技術給填上。 對應不同波長的光,就會有不同的光阻,一般你會聽到KrF光阻就是給248nm光源使用,Ar F就是給193nm光源使用。Immersion光阻就是給193i使用。EUV光阻不用我講吧。 一般來說,7nm,5nm用到EUV,光阻就會跟14nm相異。如果7nm,5nm還是使用193i搭配多 次圖型化技術,那跟14nm使用的光阻大致上一樣。 當然,光阻會有很多改進。當光波長變短,對應的光阻就會變的更薄更軟(對蝕刻的講法 ,就是更不耐蝕刻)。 光阻廠商會做很多的調整,讓光阻厚度,均勻度或抗蝕刻能力較佳。也有些調整是有關缺 陷(defect)的改進,同樣都是KrF,各家使用也是有所不同。 簡單科普,希望有幫到你。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.28.34.48 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1575355369.A.F38.html
1Fmichaelgodtw: 路人學經驗 12/03 14:45
2Fy800122155: 樓下歐底特 這篇幾顆星? 12/03 15:12
3Fkk123: ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆12/03 16:13
4Fsdbb: 先推再看,謝謝12/03 16:15
5Flouis021789: 希望這種認真文越來越多 12/03 17:08
6FJJiaK: 輕輕鬆鬆問出技術細節 保密都不用了12/03 17:26
這只是基本知識,連機密的邊都沾不上。
7Fjeff40108: 估狗就有的要保什麼密XD12/03 17:33
8Fthumba87295: 某樓以為這樣就機密,你當tune參數的都87? 12/03 17:41
9Fssmmll: 保密 XD12/03 17:42
10Fmotan: 感謝科普,文組表示知道了。12/03 17:51
11Fluche: 直接回我 5434現在是便宜還是貴?12/03 17:54
我記得我不是回在股版啊。 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/03/2019 18:05:45
12Fj0958322080: 文組才覺得這是細節12/03 18:09
13Fa810086: 認真文推一個,黃光製程基礎入門課12/03 18:11
14Fdjboy: 推12/03 18:21
15Fwzmildf: 這東西隨便買一本半導體製程課本應該都有吧..12/03 18:52
16Ffeel159357: 哈哈六樓是反串吧12/03 18:54
17Fnastie: 推 用心回覆12/03 18:54
18Fdarkangel119: 笑死 這是機密XD 要不要先關三天 12/03 19:01
19Fdouble21: 對我們門外漢科普一下還是很有用的! 12/03 19:07
20Fdouble21: 感謝! 12/03 19:07
21Fmaikxz: 笑死這細節機密XDDDDDDDDDDDD 12/03 19:10
22FHeartBreaker: 台灣似乎沒有公司能做出半導體用的光阻 12/03 19:38
23Fnewper: 感謝分享,這篇把我的記憶都找回來了XD,我是開篇原PO 12/03 19:53
24Fnewper: 因為成功轉Q,我那本半導體製程早就丟了(不知道華通書局還 12/03 19:57
25Fnewper: 在不在)12/03 19:57
26Fa810086: 我記得台灣還是有可以自製的半導體光阻,但是良率不好12/03 20:06
27Ffaniour: 依進步的速度,生產對應的光阻,資本支出要很大12/03 20:18
28Ffaniour: 機台不更新很難做對應的產品 12/03 20:18
29Ffaniour: 另外如果沒有一間公司願意陪練,很難做出成熟產品 12/03 20:19
30Ffaniour: 再加上信心度跟品牌形象問題,很難有後面的競爭者12/03 20:20
31Fsuperex: 推 12/03 20:30
32Fdxdy: 誰給你基本知識 這根本是常識12/03 20:33
閣下學識淵博,能把這些常人餵狗都不見得能理解的事當常識。
33FQcloud: 推12/03 20:34
34Fddiuyxx: 認真文12/03 20:56
35Fhenryyeh0731: 之前達興好像有在玩光阻,不曉得成果如何就是了12/03 21:01
36Flf2andnet: 用心給推12/03 21:01
37FSatansblessi: 達興的不錯啊 但僅限於面板業,半導體光阻還是AZ12/03 21:57
38FSatansblessi: 和日商為主12/03 21:57
39FloveFigo: 推科普12/03 22:05
40Fkurll: 真正的機密是參數設定跟process內容好嗎 某樓? 12/03 22:13
41Fqwe172839: 感謝休息時間不多的黃光弟兄還出一篇好文 12/03 22:25
不是黃光弟兄,只是個求知欲比較高的打雜工。
42FloveFigo: 光阻(PR) 基本上就高分子跟紫外光反應,被UV能量打斷鍵 12/03 22:35
43FloveFigo: 結的部份顯影就被洗掉 12/03 22:35
奇實還有一種光阻叫負光阻,顯影過的地方是留著的。
44FloveFigo: 不同波長能量不同,會產生斷鍵反應的鍵結也不同 12/03 22:35
45Fjfsu: BL/WL pitch 的1/2 是DRAM, NAND不是用這個算的唷 12/03 22:44
NAND的製程世代是B/LWL的1/2 pitch。NAND是4F^2的Cell size。
46Fh321123aa: 這就大方向提一提,機密在哪… 12/03 22:46
47FloveFigo: 其實記憶體跟logic線寬不能直接對應12/03 22:56
48FloveFigo: 搞不好記憶體的19nm design rule 跟logic對應起來接近7n12/03 22:58
49FloveFigo: m.12/03 22:58
50FloveFigo: (純舉例,詳細數字我也不知道 12/03 22:58
這個講起來有點雜 NAND原本的製程世代是BL/WL的1/2pitch。但是在進入1字頭世代,為了搶快開始出現BL是 1X,WL是2X的NAND,這時也宣稱是1字頭世代,等到BL/WL都是1X的時候,就叫1字頭 + 世 代。 邏輯則是FinFET之後,製程世代的數字就越來越迷,I皇一套,T哥一套,星弟也一套。總 的來說是Fin pitch 的1/3約略等同製程世代,但這也只是約略,不是約定俗成的計算法 。
51Fangerenergy: 推推 12/03 23:17
52Fbopanda: 推12/03 23:40
53Fchariot825: 科普的超好 12/04 00:14
54FMei2521: 機密啥 我上課做的報告都比這詳細12/04 02:15
科普是要一般人都看的懂 報告是要給老師看的,寫科普報告上去肯定是低分那群。
55FCarlOrz: 推12/04 02:32
56Ftuyere1127: 趕緊推一下免得被發現看不懂12/04 04:34
57Fhomer00: 推一下12/04 06:32
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:47:51
58Fmmx9797: 隔行如隔山 這真的算常職了 12/04 07:39
常識是指一般大眾普遍擁有,不需要特別學習的事。 知識是需要經過學習理解的過程而得到的,所以這些應該算基本知識。 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:52:16
59Frosseta0702: 推 12/04 08:10
60Ffaniour: 光阻有正負型的差別12/04 08:21
61Ffaniour: 大部分的光阻是光酸或光起始劑去跟成份反應 12/04 08:27
62Ffaniour: 高分子比較少做為吸光中心,斷裂也是斷側鏈為主 12/04 08:28
對非黃光出身的人而言,這些知識太深。非理工科系甚至可以直接放棄理解。 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:01:54
63Fato99: 那同光源為何也有不同光阻的配置是和後續流程有關嗎? 12/04 09:29
這跟線寬有很大的關係 主要還是光阻的深寬比(AR) 有時光阻厚度需求超過了深寬比的最大值,這時就需要對光阻成份做調整,讓光阻不會因 為過高而倒塌(Collapse)。 另外還有可能就是缺陷的問題(defect)。 通常遇到這類問題,改另一種光源或xxx (可能有點違規 的風險,就請恕我保留)通常會比調整光阻成份容易。畢竟一種新成份光阻的使用與上線 ,存在的後續作業太繁瑣。除非另一種光阻已經有在FAB使用,那就只是適用性的問題。 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:42:13 ※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:44:32
64FSatansblessi: 老師您真佛心,還一個一個回覆,認真給推! 12/04 09:44
65Fz790305000: 推一個0.0 12/04 09:56
66Fgeniusw: 太神啦 12/04 09:59
67Fb777300: 陰刻跟陽刻 12/04 11:29
68Fngxx: 機密 ㄎㄎ 12/04 11:32
69Fmoonchris: 文組背完抄三次準備面試去 謝謝 12/04 11:58
70Fc08371: 你這段能默寫也沒辦法pass大學部蝕刻課 是要去面試掃地工 12/04 12:56
71Fc08371: 嗎 12/04 12:56
72FloveFigo: 印象中正型解析度比較好,小線寬幾乎都正型? 12/04 15:14
73FloveFigo: 如果同樣喊7nm, I皇線寬會比較小 12/04 15:15
74FloveFigo: 後來I皇就出來講要比單位面積電晶體密度 12/04 15:16
75Fmodkk: 這機密啥?機密是如何做到,不是原理 12/04 21:06
76Fmodkk: 還有AZ已經被併購了,目前唐榮那邊主要是做面板光阻,半導 12/04 21:12
77Fmodkk: 體沒那麼多 12/04 21:12
78Frabbit2233: 感謝 12/04 22:44
79Fyclt: 推推 12/05 00:46
80FISNAKEI: 負光阻用在面板的彩色濾光片比較多 12/05 10:28
81Fkoibido: 推 12/05 19:30
82Fcarterlin: 感謝囉 之前看同機台但轉layer而有speedloss 12/06 08:16
83Ffrontseat: 一般台灣研發以為原理是機密?原理不是入門的基本能力 12/06 14:06
84Ffrontseat: 嗎?偏偏一堆台灣研發連基本原理都不太懂 才會東藏西 12/06 14:07
85Ffrontseat: 藏自以為是機密 哈哈 12/06 14:07

完整討論串

留言數 標題 作者 日期
62 [請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎? newper 2019/12/02 20:02:28
85 >> Re: [請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎? negohsu 2019/12/03 14:42:47

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