[請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎?

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因為離開晶圓廠有點久了 而且以前也不是黃光的 請教的問題可能很瞎 請多包涵 想請問7nm跟14nm用的光阻會不同嗎? 我以前的想法是跟機台比較有關 精度差異大的的機台可能搭配的光阻不同 或是我也是對的,因為7nm是跳了一個難度gap 只能適用全新技術的photo機台 理所當然光阻也不同? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 123.241.131.60 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1575288150.A.0DE.html
1Fsmallstitch: 不告訴膩雷。 12/02 20:04
2Fsmallstitch: 雷 12/02 20:05
3Fming60406: 高中物理 12/02 20:25
這位你在晶圓廠待過嗎?我相信絕對不是高中物理
4FCramael: 想知道這的通常是對岸人士,不過黃光這麼多道,同node就 12/02 20:27
很高興你有高度警戒心,但我真的台灣人XD 我也堅決反共反獨裁,支持改國名為台灣
5FCramael: 有不同光阻了,你還是直接問用每道用哪種光阻比較快 12/02 20:27
我只是看到stock版文章,然後自己想了一下發現相關知識已經忘光光 google只能找到會的(基礎的),所以跑來問一下 通過你的回答我知道了,主要是看做哪一道對吧 所以跟機台無關嗎?
6Fa810086: 光阻有很多種,從前段到封裝各個製程都有不一樣的,光是 12/02 20:36
7Fa810086: 封裝就有好幾種 12/02 20:36
8Fa810086: 線路越細要求解析度肯定更高,其他請專業的前輩回答 12/02 20:37
9Fhoyo992: 你真的人認為在這能問到答案嗎 12/02 20:40
我認為能啊,不然幹嘛這裡問 或者可以請你介紹一個能問到答案的其他地方嗎? 而且我的重點只想知道跟機台有沒有關係而已XD
10FCramael: 以前是小整合的認知,光源、解析度、要檔蝕刻的量、正負 12/02 20:41
11FCramael: 光阻都會用不同光阻,這開發的時後都會評估 12/02 20:41
12FAuslayer: 底片有分感光速度,7nm跟14nm製程光阻就算成分種類一樣 12/02 20:42
13FAuslayer: ,配比也會有差異 12/02 20:42
14Fb777300: 當然有差異,跟車零件的精細度是一樣的,只是一個是車刀 12/02 20:51
15Fb777300: 硬度與精細度,一個是解析度與照射時間 12/02 20:51
16Forangelin76: 不同製程要求的解析不同,感光成分一定也會有所調整 12/02 20:53
17Forangelin76: ,即便可能可以用,材料商肯定會跟你講成分不一樣, 12/02 20:53
18Forangelin76: 要加價賣你,除非製程本身很強,可以自己去抓參數 12/02 20:53
感謝樓上各位! ※ 編輯: newper (123.241.131.60 臺灣), 12/02/2019 20:55:40
19Fonlydo: EUV光阻跟一般光阻不一樣 12/02 21:36
20Fmaikxz: 直覺上不同光源會主要影響選用的成分,不同波長影響吸收 12/02 22:17
21Frainlistener: 介於一樣跟不一樣之間 12/02 22:18
22Fhiyakaikai: PIP好嗎 這邊不可能問的到 12/02 22:20
23Fa810086: 其實我更想問的是製程極限會不會不是發生在機台而是因為 12/02 22:33
24Fa810086: 光阻做不到,導致後續3nm1nm碰壁 12/02 22:33
25Fqwe172839: 全台灣搞不好還沒幾個人摸過EUV 怎麼可能問得到 12/02 23:02
26FCIIIO: 不同波長的光所需要的光酸不一樣 12/02 23:05
27Fian41360: 問這幹嘛? 要不要 dosage focus 一起講? 12/02 23:10
28Fj0958322080: 偷偷告訴你是用OMOG,剩下的我不能再說了 12/02 23:18
29Fdavid83126: 問這幹嘛 12/02 23:39
30Fs869225: 問這問題真的很瞎 12/02 23:44
31Fswitch: 非EUV的7nm 跟 14nm光源都是193 immersion 差在多重曝光, 12/02 23:49
32Fswitch: 光阻應該一樣或差不多,EUV 7nm 光源波長差那麼多,光阻 12/02 23:49
33Fswitch: 當然不一樣。 12/02 23:49
34Fsi5111: PIP 誰要跟你講 12/02 23:56
35FDazaiOsamu: 作業自己做== 12/03 00:01
36Fjwptt0120: 碩班做25um跟100um都用同一種PR 12/03 00:16
37Fjwptt0120: 給你參考 12/03 00:16
38FKaYan: PIP 12/03 00:42
39FANava: 學生作業自己做啦 12/03 00:43
40Fgj942l41l4: 應該是12樓講得那樣 12/03 01:18
41Fgj942l41l4: 會因為感光速度有成份微調 12/03 01:18
42Fgj942l41l4: 我碩班做25um和100um用不同PR耶,不過是厚度不是線寬 12/03 01:19
43Foutzumin: 看你可憐 光阻正負會影響最小線寬 黏稠度也會 12/03 04:08
44Foutzumin: 剩下自己做功課 12/03 04:09
45Fautoppp: 其實一樣沒問題 12/03 05:46
46FARPG: 你每天站在GG大門口,開一看就知道了 12/03 07:15
47Fmotan: 奈米越小臉越黃,選我正解 12/03 09:08
48FSatansblessi: PIP... 12/03 09:16
49FSatansblessi: 而且同平台不同設備也可能有不同光阻搭配 12/03 09:16
50FSatansblessi: 當然你要知道rough的答案就是不同 12/03 09:17
51Fsnoopy790428: 日光燈會越來越黃 12/03 09:49
52Fabyssa1: 應該可以用一樣光阻的去做 只是良率效能會很差 所以肯定 12/03 10:51
53Fabyssa1: 會微調或大改配方 兩個製程客戶能接受的價格也不同 最適 12/03 10:51
54Fabyssa1: 合的配方肯定不會一樣 12/03 10:51
55Fbnd0327: 不同 layer 光阻就分好多種了,你問有沒有一樣的比較快 12/03 11:38
56FYTVW: double patterning 12/03 11:39
57FiFann: 光阻..問光阻商就好啦...光阻製程定下來後夭壽難換的 12/03 11:42
58Ffaniour: 線寬、厚度、正負型、光源、機台、塗布都有影響 12/03 13:31
59Ffaniour: 光阻商願意調整多少,交期多急.... 12/03 13:33
60Ffaniour: 連帶影響要大改還是盡可能調整成分比例去解決 12/03 13:35
61Fsky020488999: 當然有差 不然幹嘛花好幾十億買泡水機 12/03 15:18
62Fcatch27: PIP 12/03 18:38

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62 >> [請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎? newper 2019/12/02 20:02:28
85 Re: [請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎? negohsu 2019/12/03 14:42:47

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